In-situ電界効果測定によるH_2Pc, CuPc, PbPc蒸着膜の電気物性評価

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概要

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フタロシアニン化合物は雰囲気に対して敏感に影響される場合が多く、この特性を積極的に利用したガスセンサなどへの応用も検討されている。しかしながら、この特性が逆に電気物性の正確な見積もりを困難にしており、フタロシアニン化合物の電気物性に関する数多くの報告の中で、試料の作製から測定までを真空中で一貫して行った例は少ない。本研究ではプレーナー型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)構造(図1参照)を用いることにより試料作製直後に真空を破ることなく電界効果測定を行うことを可能にし、無金属フタロシアニン(H_2Pc)、α型銅フタロシアニン(α-CuPc)、鉛フタロシアニン(PbPc)について、伝導型、キャリア移動度、導電率、キャリア濃度を求めた。また、成長時の基板温度や成長後のアニールの影響、チャンバー内への酸素ガス導入の影響についても調べた。
1996-03-11

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