塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
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概要
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本研究では、ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化に向け、ゲート絶縁材料の評価とOFETの大気に対する耐性の改善を行った。OFETを作製するためには、溶液の重ね塗りが必要で、ゲート絶縁層は半導体材料の溶媒に不溶である必要がある。そこで、ゲート絶縁材料として耐溶媒性に優れた材料を選択し、その電気特性を評価しFETを作製した。また、一般に有機半導体は大気中の酸素や水分の影響で電気特性が変化しやすい。半導体層を大気から遮断するために、封止材料を用いて半導体層を被覆した、大気に対する耐性の強いOFETが実現できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-24
著者
-
山内 博
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大
-
成田 幸介
千葉大学工学部
-
山内 博
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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