ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)

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概要

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SiO_2上に成長したペンタセン多結晶薄膜における結晶構造と電子帯構造の関係を明らかにするため、放射光を用いた微小角入射X線回折を用いて、結晶子サイズと結晶の不均一歪みを評価した。その結果、回折ピークの半値幅に対する不均一歪みの影響はほとんどなく、ピーク半値幅は結晶子サイズで決まっていることが明らかになった。結晶ドメインサイズを10倍以上変化させているにもかかわらず結晶子サイズは25-50nmとほぼ一定であった。また、結晶子サイズは我々のグループが報告したHOMOバンド端ゆらぎの空間的な周期および基板表面の凹凸周期とほぼ一致していた。この結果は、SiO_2表面の微小な凹凸によって結晶子サイズが決まっており、長距離にわたって発生するペンタセンの格子の乱れによってHOMOバンド端ゆらぎが生じていることを強く示唆している。
2011-10-07

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