ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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HMDS処理を行ったSiO_2基板や、SiO_2の代わりにポリイミドを用いて作製したペンタセン薄膜トランジスタの移動度向上メカニズムを明らかにするため、これらの試料のHOMOバンド端ゆらぎや、面内結晶子サイズを評価し、表面処理の有無で何か変わるのかを評価した。表面処理を行うことで、結晶ドメインサイズが増大したが、HOMOバンド端ゆらぎや面内結晶子サイズはほとんど変わらなかった。一方、移動度を結晶ドメインサイズに対してプロットすると、表面処理の有無によらず一本の直線上に分布することが判った。このことから、表面処理による移動度の向上は、主に結晶ドメインサイズが大きくなることによるものであることが明らかになった。
- 2012-04-11
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
松原 亮介
千葉大学大学院工学研究科
-
工藤 一浩
千葉大院工
-
野村 俊夫
千葉大学大学院工学研究科
-
坂井 祐貴
千葉大学大学院工学研究科
-
真島 豊
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
真島 豊
東京工業大学
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
-
松原 亮介
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
中村 雅一
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
中村 雅一
奈良先端科学技術大学大学院
-
松原 亮介
奈良先端科学技術大学大学院
-
中村 雅一
奈良先端物質
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