in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 (有機エレクトロニクス)
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概要
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- 電子情報通信学会の論文
- 2010-01-12
著者
-
長谷川 達生
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
松井 弘之
産総研:東大新領域
-
藤井 孝博
千葉大学大学院工学研究科
-
松井 弘之
産業技術総合研究所光技術研究部門
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