電圧印加LB法による電荷移動錯体の形成制御
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概要
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電圧印加LB(Langmuir-Blodgett)法は、LB膜累積中における基板への電圧印加により分子の累積を制御する有機超薄膜作製手法である。今回、我々はアクセプタ性分子である長鎖TCNQ(テトラシアノキノジメタン)の水面上単分子膜に、水相中からドナー性分子であるTMPD(N,N,N',N'-テトラメチル-p-フェニレンジアミン)、およびPPD(p-フェニレンジアミン)を吸着させ、電圧印加LB法により累積した。その結果、LB膜中の電荷移動錯体の形成を印加電圧により促進あるいは抑制できることが確認された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-17
著者
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