OME2000-44 イオン化蒸着法を用いた電界配向TTF-TCNQ分子ワイヤの作製
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概要
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TTF-TCNQ電荷移動錯体結晶は分子間の電荷移動により金属的伝導性を示し、また、双極子モーメントを持つと考えられる。TTF-TCNQ蒸着膜作製中に基板面内で電界を印加し錯体分子の配向制御を試みた結果、基板温度が約40℃の時に細長い結晶グレインが形成できることがわかった。結晶グレイン成長モデルとして帯電した分子を仮定し、そのモデルの確証を得るためにイオン化蒸着法を用いて結晶グレイン成長を観察した。また、イオン化蒸着法を用いることで、電界印加蒸着法によるTTF-TCNQ錯体結晶の分子配向の制御性が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
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