TCNQ LB膜を用いたドナー・アクセプタ層状構造FET
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概要
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ドナー性分子(TTF)とアクセプタ性分子(TCNQ,C_<18>TCNQ)を用いて、蒸着膜のみで作製した素子と1層目にLB膜を用いた素子の2種類の層状構造FETを作製した。蒸着膜のみの素子では、流れる電流は大きく増加するものの、ゲート電圧に対するソース・ドレイン電流の依存性はほとんど見られなかった。それに対し、LB膜を用いた素子では、ゲート電圧に対するソース・ドレイン電流の依存性が確認された。このことは、LB膜が持つ薄膜性などの性質に寄与するものだと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-26
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
深川 剛史
千葉大学工学部電子機械工学科
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