通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性(有機材料,一般)
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概要
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これまで我々は、基板上に形成した電極間に電界を印加しながらTTFとTCNQを共蒸着することによって、電界方向に配向したTTF-TCNQのワイヤ状結晶が成長することを報告してきた。TTF分子の蒸気圧はTCNQ分子の蒸気圧に比べて高いので、電極から成長するワイヤ状結晶はTCNQが優先的に成長し、その結果、接合部は高抵抗となる。この導電性ワイヤに通電加熱を施すことで高抵抗な接合部からTTFを脱離させ、微小な半導体領域を形成した。このような手法でナノFETを作製し、nチャネルFET動作を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-20
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
宮田 晴哉
千葉大学工学部
-
伊丹 恒平
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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