TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般)
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概要
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TMTSF-TCNQ電荷移動錯体を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製し基板温度、蒸着時のゲート電圧印加によるFETの特性制御を行った。蒸着時の基板温度を変化させた場合、25℃ではnチャネル、45℃ではpチャネルのFET特性が得られた。蒸気圧の異なるTMTSFとTCNQの組成比が基板温度により変化したためと考えられる。また、ゲート電圧を印加しながら蒸着することによって、蒸着源仕込み比TMTSF:TCNQ=0.55:0.45の場合にはp,nチャネルの素子を同時に作製できた。これらのことからコンプリメンタリ素子の作製が1回の蒸着で可能となることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-12
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部
-
前田 俊一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部電子機械工学科
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