電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜FETの作製
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概要
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電荷移動錯体TMPD-C_<15>TCNQ吸着LB膜を用いた超薄膜FETを作製した。錯体膜の作製に後吸着LB法を用いることで吸着状態の制御が可能となることが期待され、それに伴う素子特性の向上が見込める。また、作製条件によってY膜、Z膜が作製でき、それぞれの素子においてソースードレイン電流のゲート電圧依存性は異なっていた。この結果から、素子特性変化がY膜とZ膜の異なる積層構造に起因するものと考えている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-04
著者
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部電子機械工学科
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