InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
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概要
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各種GaAs(N11)A面方位基板上に成長したInAs, GaAs量子井戸構造の偏光フォトルミネッセンス測定による発光領域の同定を行った。数種の(N11)基板上成長試料表面には3次元核成長が認められ、このような試料にはフォトルミネッセンスピークも複数認められる。異なった偏光依存性を示す各ピークの測定結果から発光領域とピークとの対応を試みた。偏光特性の出現は3次元核を構成するファセットと基板面とのオフ角度に起因し、(311)A基板上成長試料においては、[233]方向に最も強い偏光成分を有する。この偏光依存性の結果と3次元核の配置から偏光特性出現の原因としてはファセット上に成長したInAs量子井戸層内のエキシトン閉じ込めの異方性が挙げられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
山田 昭政
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
山田 昭政
電子技術総合研究所
-
李 定植
千葉大学工学部
-
牧田 雄之助
電総研
-
島 隆之
千葉大工
-
仁木 栄
電子技術総合研究所 光技術部
-
仁木 栄
産業技術総合研究所太陽光発電研究センター化合物薄膜チーム
-
牧田 雄之助
電子技術総合研究所 光技術部
-
島 隆之
千葉大学工学部
-
牧田 雄之助
電子技術総合研究所
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