電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ錯体グレインの配向制御
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概要
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基板上に作製した電極間に電圧を印加しながら蒸着する電界印加共蒸着法により、TTF-TCNQ錯体薄膜を作製し、その錯体グレインの配向効果と導電率について評価した。b軸を長軸とする錯体グレインは電界方向に対して平行に配向し、TTF、TCNQの蒸発源温度、基板温度、電界強度に対して強い依存性があることが判明した。また、電界印加条件と配向性、および、導電率の温度依存性から、TTF-TCNQ錯体グレインの配向・伝導メカニズムについて検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-25
著者
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