GaAs基板上TTF-TCNQグレインネットワークの作製
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概要
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一次元電気伝導性、高導電率という特徴を持つTTF-TCNQ電荷移動錯体を用いてグレインネットワークの作製を試みた。基板はイオン性と原子ステップを持つGaAs-off基板を用いた。成長核となるGaドットはGaAs基板を超高真空中で過剰熱エッチングすることにより形成させた。Gaドロップレットのサイズは基板の熱エッチング条件により制御でき、TTF-TCNQ錯体の自己構築的な成長とドットへの選択成長が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-05
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
小池 星児
千葉大学工学部電子機械工学科
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