電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構(有機材料・デバイス・一般)
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概要
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有機ドナー性分子TTFとアクセプタ性分子TCNQを電界下で共蒸着により成長させると、電界方向に配向した有機導体TTF-TCNQの針状結晶が成長する。この針状結晶は導電率が高く、成長のコントロールが可能であるため、有機半導体デバイスの配線材料として期待される。これまで行ってきた一連の成長制御の結果を踏まえてTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構に注目した。電界印加共蒸着中に観測される電流から、イオン化分子の電界によるドリフト運動に起因する電流成分を抽出してその電界強度、基板温度依存性を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
伊丹 恒平
千葉大学工学部
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