ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)

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概要

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近年、有機トランジスタに関する研究が盛んに行われているが、それらのほとんどは無機系半導体で採用されてきたものと同様に横型構造を有する。本研究では、ソース-ドレイン電極間のペンタセン薄膜内にアルミ櫛型ゲート電極を挟みこんだ縦型構造を有する静電誘導トランジスタ(SIT)を作製した。縦型トランジスタ構造を採用することにより、チャネル長がペンタセン薄膜の膜厚に相当するため従来型の横型トランジスタ構造よりもチャネル長を短くすることが可能となり、有機半導体のような高抵抗・低移動度の材料においても高速動作が期待できる。本研究では、ペンタセンを用いた有機SITの静特性において、より高い性能を得るために、ゲート電極ギャップ間距離、及び基板に用いるソース電極であるITO基板の表面処理が静特性に与える影響についての検討を行った。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-01-21

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