塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製(有機材料・一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究では、活性層および絶縁層に塗布可能材料を用いた積層型NAND回路を作製し、その特性を評価した。積層型NAND回路は、トップゲート構造のZnO-TFT(nチャネル)の上に、ゲート電極を共有したボトムゲート構造のTIPS-pentacene TFT(pチャネル)を積層することで作製した。絶縁膜には、塗布可能材料である光硬化型シリコーン樹脂を使用した。この積層型構造は、従来の基板上に平面的に作製した論理回路に比べ、素子表面積の縮小や配線長の短縮、活性層の塗り分けの容易化などの効果が期待できる。作製した素子は、典型的なNAND動作を示した。
- 2012-11-12
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
山内 博
千葉大学大学院工学研究科
-
國吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
工藤 一浩
千葉大院工
-
小寺 勲
千葉大学大学院工学研究科
関連論文
- 有機半導体デバイスと実装技術
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
- 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 (有機エレクトロニクス)
- 高効率有機発光トランジスタ
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
- 段差型有機FETの電気的特性評価(有機材料・一般)
- 自己配線構造を有する有機ナノFETの作製とチャネル領域における電位分布測定(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
- 電圧印加熱処理を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 酸化物半導体膜を用いた有機発光トランジスタの作製
- 通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性(有機材料,一般)
- 後処理によるP3HTを用いた電界効果トランジスタの特性制御(有機材料,一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構(有機材料・デバイス・一般)
- 26pYK-11 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性(機能性有機薄膜・一般)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 8)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 7)
- 「自己組織化」有機ナノトランジスタ
- C-13-4 ペンタセン多結晶膜におけるホール輸送障壁と結晶ドメイン内移動度の解析(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- C-13-1 ディスプレイ駆動用有機SITの作製(C-13.有機エレクトロニクス,一般講演)
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般)
- C-13-5 情報タグ用高速有機FETとアンテナ特性の検討(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製(有機材料・一般)
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価(センサ,デバイス,一般)
- 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関(有機材料,一般)
- 27aYD-4 (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETのチャネル内電子/正孔伝導に見られる相転移的振舞い(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料およびデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおけるゲート電界誘起金属-絶縁体転移(有機材料・一般)
- 25pTG-17 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電子移動度の温度依存性と化学ドープ効果(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 自己整合成長有機ナノトランジスタの実現と有機結晶成長への興味
- 有機結晶の電界配向と自己整合成長、それを利用したナノデバイス作製
- 電荷移動錯体を用いた有機半導体デバイス研究の展開
- 1G2-B3 「次世代の科学力」を育てる「未来の科学者養成講座」の取り組み(2)(科学教育連携システム,一般研究発表,次世代の科学力を育てる-社会とのグラウンディングを求めて-)
- 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)のキャリア伝導特性と結晶構造の解析(有機デバイス全般・一般)
- ペンタセンTFTにおけるキャリア輸送制限要因に対する基板表面処理および有機層成長速度の影響(有機デバイス全般・一般)
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 未来の科学者養成講座におけるプログラム開発とその実施
- 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性
- 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
- 有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)の金属-絶縁体転移点近傍におけるFET特性の温度変化(有機デバイス・物性,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 未来の科学者養成講座におけるプログラム開発とその実施
- 重水素置換BEDT-TTFを用いた(BEDT-TTF)(TCNQ)錯体のambipolar FET特性(有機材料,一般)
- TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般)
- 1A-05 「未来の科学者養成講座」と「キャリア教育」 : 理数学習支援における人材育成(一般研究発表(口頭発表))
- 30aRB-12 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電荷移動錯体ワイヤを用いた有機ナノトランジスタ
- 酸化亜鉛透明電極を用いた縦型有機デバイス
- 銅フタロシアニン蒸着膜を用いたショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶媒法によるFET作製(有機材料・一般)
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶融法によるFET作製
- 有機導体ワイヤ作製技術と有機ナノデバイスへの応用
- CS-11-8 有機導体ワイヤの自己整合的成長と有機ナノトランジスタ(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長(作製・評価技術・一般,有機材料・一般)
- CS-4-6 段差構造縦型有機トランジスタの特性と応用(CS-4.有機半導体の物性とデバイス応用および今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-13-4 ジュール加熱による有機導体TTF-TCNQ接合ワイヤの分子ブレークジャンクション(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 電荷移動錯体薄膜を用いた電界効果トランジスタ
- 21aTR-1 Si基板上に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における焦電電流測定(21aTR 電荷秩序・非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- SC-12-4 電荷移動錯体ワイヤと有機ナノトランジスタの作製(SC-12.有機エレクトロニクスと情報家電・ホームネットワーク)
- SC-7-7 有機ナノトランジスタの作製と評価技術
- 未来の科学者養成講座における受講生の選抜・養成の第2期・第3期での新たな展開
- CS-5-9 印刷技術を用いた段差構造縦型有機トランジスタ(CS-5.有機分子の特性を活かした材料評価技術とセンシング技術,シンポジウムセッション)
- ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製(センサー,デバイス,一般)
- 主体的に粘り強く未来を切り開く科学者養成プログラムの成果と課題(科学才能教育-児童生徒の多様なニーズに応じる科学教育の新展開-)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 主体的に粘り強く未来を切り開く科学者養成プログラムの成果と課題
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製
- ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収(有機材料,作製・評価技術,一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定(有機材料,作製・評価技術,一般)
- 26pBK-1 Si基板上に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における誘電応答の温度依存性(26pBK 電荷秩序・非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響(TFT(有機,酸化物),一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 21aEB-5 Si基板上に成長した(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における結晶構造の温度依存性(21aEB 中性-イオン性転移(ドナー・アクセプター系),領域7(分子性固体・有機導体))
- 塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製(有機材料・一般)
- 「次世代の科学力」を育てる「未来の科学者養成講座」の取り組み(2)
- 準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果(作製・材料,有機デバイス全般・一般)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 熱プレス法による有機薄膜トランジスタの作製(プロセス技術,展望)
- 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製(有機デバイス・センサー,一般)
- UV/O3アシスト熱処理法による塗布による塗布型酸化物FETの特性向上