後処理によるP3HTを用いた電界効果トランジスタの特性制御(有機材料,一般)
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概要
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有機トランジスタを用いたデバイスを作製するためには、有機電界トランジスタ(OFETs)の特性制御が不可欠な技術となる。低温プロセス、大面積に適応可能といった種々の利点からウェットプロセスに注目してきた。プロセスの工夫により同一材料(P3HT)でV_<th>やキャリア密度などFETの物性値を制御できる手法を考案した。また成膜後の処理に注目し、熱処理とS-D間電界印加処理により、FETのしきい値電圧を制御できることを確認した。これらの処理は処理雰囲気を変えることで特性の制御を行った。今回は、処理雰囲気を一定に保った成膜後の特性制御法を考案し、S-D間電流印加処理と熱処理を組み合わせることで、成膜後におけるFETの特性制御の可能性を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-20
著者
-
山内 博
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
山内 博
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
永井 啓太
千葉大学工学部
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