複合型有機発光トランジスタ
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概要
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有機EL素子の正孔輸送層中にゲートAl電極を埋め込むことでSIT(静電誘導トランジスタ)とした複合型有機発光トランジスタの動作確認を行った。また、積層順が通常構造と逆構造の2種類の素子を作製し、電流-電圧測定、輝度-電圧測定を行った結果、逆構造複合型素子において、ゲート電極による発光の遮りの問題が回避されることが明らかとなった。今後、ゲード電極と有機膜層の最適化によって発光効率及び輝度制御性を改善できる可能性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-02
著者
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
池上 加余子
千葉大学工学部電子機械工学科
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