電荷移動錯体のナノエレクトロニクスへの応用 : 分子配線と相転移トランジスタ
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概要
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無機半導体デバイスの高集積化の限界をうち破る次世代デバイスとしてナノエレクトロニクス技術による分子素子の実現が期待される。筆者らは現実的な分子素子を目指して、電荷移動錯体を用いた分子ワイヤおよび相転移トランジスタの研究を進めている。本報告では電界印加蒸着法による金属的分子ワイヤの形成、ならびに金属-半導体(絶縁体)相転移を利用した層状構造トランジスタに関する基礎実験結果について述べる。また、分子ワイヤ技術と相転移トランジスタを組み合わせた新型分子トランジスタを提案し、その特徴について考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-25
著者
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