電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製
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概要
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現在では、有機化合物においても導電性を示すものが数多く発見されており、なかでも電荷移動錯体には、その電荷移動により高導電性を示すものが多くある。電荷移動錯体は、ドナー性分子からアクセプタ性分子に電荷の移動が起こることで形成されるが、その導電性は有機分子のもつ異方性とあわせて、注目されているところである。電荷移動錯体の導電性を決定しているのは、ドナー性分子からアクセプタ性分子への電荷の移動量であるが、この値はそれぞれの電荷移動錯体で固有の値を持っている。この電荷の移動量を外部からの何らかの作用(電界等)により、固有の値からずらすことができれば、電荷移動錯体の持つ導電率を変化させることができるのと考えられる。そこで、本研究では電荷移動錯体を構成するドナー性分子とアクセプタ性分子を、真空蒸着法により基板上に積層させ、電界効果素子(FET: Field Effect Transistor)を作製した(図1を参照)。積層した界面における電荷移動錯体層にゲート電圧により電界を印加し、導電率を制御しようと試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
住本 勉
千葉大学工学部電気電子工学科
-
白鳥 靖人
千葉大学工学部電気電子工学科
-
白鳥 靖人
千葉大学 工学部 電気電子工学科
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