電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御
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概要
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TMTSF-TCNQ電荷移動錯体結晶は分子間の電荷移動により金属的伝導性を示し、錯体分子は大きな双極子モーメントを持つと考えられる。TMTSF-TCNQを用いた電界効果トランジスタ(FET)構造素子において、蒸着膜作製中の成長温度とゲート電圧印加による素子特性の制御について調べた。その結果、FET特性は成長時の基板温度とゲート電圧印加によって大きく変化し、p型n型の制御およびエンハンスメント型、デプレッション型を制御できる可能性が示された。
- 2001-08-27
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