電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御

元データ 2001-08-27

概要

TMTSF-TCNQ電荷移動錯体結晶は分子間の電荷移動により金属的伝導性を示し、錯体分子は大きな双極子モーメントを持つと考えられる。TMTSF-TCNQを用いた電界効果トランジスタ(FET)構造素子において、蒸着膜作製中の成長温度とゲート電圧印加による素子特性の制御について調べた。その結果、FET特性は成長時の基板温度とゲート電圧印加によって大きく変化し、p型n型の制御およびエンハンスメント型、デプレッション型を制御できる可能性が示された。

著者

中村 雅一 千葉大学工学部
工藤 一浩 千葉大学工学部
飯塚 正明 千葉大学工学部
中村 雅一 千葉大学大学院工学研究科
飯塚 正明 千葉大学大学院工学研究科

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