銅フタロシアニンを用いた静電誘導トランジスタの作製と応用
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概要
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代表的なp型有機半導体である銅フタロシアニン(CuPc)は、光電子素子への応用研究が進められてきたが、CuPcの高抵抗・低移動度のため、実用的デバイスの作製は非常に困難であるとされてきた。そこで本研究では静電誘導トランジスタ(Static Induction Transistor:SIT)構造によるデバイスへの応用を考えた。SITは膜厚方向に流れる電流を制御するため、チャネル長を短くすることができ、高抵抗・低移動度の材料でも、大電力・高速動作が期待できる。ここでは、SITを作製するにあたってSiプロセスを応用することによって最適素子構造を求める実験を行い、考察した結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-14
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
田中 靖洋
千葉大学工学部電子機械工学科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
王 東興
千葉大学
-
王 東興
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 一繁
千葉大学工学部電子機械工学科
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