有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)の金属-絶縁体転移点近傍におけるFET特性の温度変化(有機デバイス・物性,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
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概要
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有機ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetra-cyanoquinodimethane (TCNQ)が1:1の比で形成する有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は330Kで金属-絶縁体転移を示すことが知られている。(BEDT-TTF)(TCNQ)の結晶を活性層とする電界効果トランジスタの両極性電界効果特性とその金属-絶縁体転移点近傍における温度依存性の測定結果から、金属絶縁体転移温度近傍において異常な温度変化が電子伝導に関して見られることがわかった。
- 2006-12-11
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部
-
伊藤 裕哉
千葉大学大学院工学研究科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部電子機械工学科
-
伊藤 裕哉
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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