ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般)
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概要
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多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分布を測定した。得られた表面像から結晶ドメイン内の分子テラスが現れた平坦部を判別し、そのような領域において表面形状に依存しない電位揺らぎが存在していることを初めて明らかにした。この電位揺らぎは、チャネル導定率に揺らぎがあることを示すものである。そこでこの電位揺らぎの起源について険討を行ったところ、価電子帯上端のエネルギーに揺らぎがあるため局所キャリア密度が変動していると仮定したモデルにより分布が無理なく説明できることが明らかになった。このときの揺らぎの半値全幅は12meVであり、この揺らぎが結晶ドメイン内でのキャリアの平均走行速度を低下させているものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-11
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
大橋 昇
千葉大学大学院工学研究科
-
松原 亮介
千葉大学大学院工学研究科
-
大橋 昇
千葉大学工学部電子機械工学科
-
冨井 弘
千葉大学工学部電子機械工学科
-
松原 亮介
千葉大学工学部電子機械工学科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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