(BEDT-TTF)(TCNQ)錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性(機能性有機薄膜・一般)
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概要
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(BEDT-TTF)(TCNQ)キャスト膜を活性層に用いた有機FETを作製しその特性を評価した。このFETは第一象限ではnチャネル特性、第三象限ではpチャネル特性を示した。またゲート電圧よりドレイン電圧が高い領域では電子・正孔の両方が薄膜内を伝導する"ambipolar"動作を示した.このFETの伝導チャネルは(BEDT-TTF)(TCNQ)三斜晶結晶のBEDT-TIFおよびTCNQから成る連続カラムで形成され、"ambipolar"動作は正孔および電子がこれらの伝導カラムに注入されることにより実現すると考えられる。また我々は、このような有機ドナー・アクセプタの積層構造において伝導特性のゲート電圧・温度依存性についても調べた。ゲート電圧を印加してソース電流の温度依存性を測定すると、ゲート電圧0Vの場合は温度低下に従って電流が単調減少し熱活性型の温度依存性を示すが、正のゲート電圧印加時には240K付近で電流値が極大値をとる。この金属的な温度依存性はゲート電圧印加により誘起されたチャネル領域の電子の伝導によるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-18
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部
-
佐久間 広貴
千葉大学工学部電子機械工学科
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