自己配線構造を有する有機ナノFETの作製とチャネル領域における電位分布測定(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
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概要
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テトラチアフルバレン(TTF)とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤ状結晶の電極端部と表面とで明確に異なる成長様式を観測した。このことから、TTF-TCNQワイヤ状結晶の成長機構には、印加電圧以外に電極端に起因する配向要因があると考えられる。このTTF-TCNQワイヤ状結晶中にTCNQ半導体領域が自己整合的に形成され、FET動作することを示した。このデバイスの有効チャネル長を定義する為に、AFMポテンショメトリ(AFMP)を用いて電位分布測定を行い、有効チャネル長780nmが見積もられた。また、FETの移動度とチャネル領域の構造に関する知見を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-04
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
斉藤 聡伸
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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