シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製(有機材料・一般)
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概要
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シリコーン樹脂は低コスト、低温プロセスである塗布法によって成膜が可能である。本研究では、光硬化型シリコーン樹脂をゲート絶縁膜材料として用いて、積層型CMOS回路の作製し、その素子特性を調べた。この積層型構造は、従来の基板に対して平面的に作製したCMOSと比べ、素子表面積の縮小や配線長の短縮、活性層の塗り分けの容易化などといった効果が期待できる。積層型CMOS素子は、最初に基板上にトップゲート構造のZnO-TFT(nチャネル)を作製し、その上にゲート電極を共有したボトムゲート構造のペンタセン-TFT(pチャネル)を積層して作製した。作製した素子は典型的なCMOSインバータ特性を示すことを確認した。
- 2010-05-20
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
山内 博
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
菊地 幸大
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
-
中村 雅一
奈良先端物質
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