(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおけるゲート電界誘起金属-絶縁体転移(有機材料・一般)
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概要
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ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetra-cyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は330Kで金属-絶縁体転移を示すことが知られている。(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を用いた両極性電界効果トランジスタに関して、約280Kにおいて電子移動度が急激に増加することを明らかにした。同じ温度領域で正孔移動度やバルクの導電率に異常は見られないことから、電界効果によって注入された電子の伝導に特有の現象と考えられる。この現象の起源についてモット転移の観点から議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-22
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
伊藤 裕哉
千葉大学大学院工学研究科
-
高原 知樹
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
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