β-(BEDT-TTF)_2PF_6結晶における金属-絶縁体温度近傍でのゲート電界の効果(有機デバイス,有機材料作製・評価技術,一般)
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概要
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有機電荷移動錯体β-(BEDT-TTF)_2PF_6は297Kにおいて金属-絶縁体転移を示し、転移温度以下では電界秩序相が発現することが知られている。この物質の単結晶を用いて電界効果トランジスタ構造を作製し、ゲート電界によるコンダクタンスの変調を観測した。ゲート電界によるコンダクタンスの変調は、金属絶縁体転移温度において極大を示した。この温度依存性はゲート電界の印加による転移温度のシフトと考えることができる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
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