準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果(作製・材料,有機デバイス全般・一般)
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概要
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本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界の効果を検証した。基板上にあらかじめ作製した電極に電圧を印加した状態で、温度勾配をつけた石英管中でペンタセン結晶を気相成長させた。片側の電極に+50Vを印加し、もう片側の電極を接地した場合には、接地側にペンタセンの結晶成長がみられた。同様に片側を-50V、もう片側を接地した場合には、-50Vを印加した電極上にペンタセンの結晶成長が見られた。印加電圧が0Vの場合にはペンタセンの結晶は成長しなかった。極性を持たないペンタセンにおいても、準熱平衡条件下の結晶成長において外部電界の効果が観測された。
- 2012-10-10
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
山内 博
千葉大学大学院工学研究科
-
國吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
工藤 一浩
千葉大院工
-
鵜澤 裕彰
千葉大学大学院工学研究科
-
神谷 真司
千葉大学大学院工学研究科
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