有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
テトラチアフルバレン(TTF)とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤの成長を大気側からその場観察した。この手法により、従来観測することができなかったTTF-TCNQワイヤの成長過程を視覚的に追跡した。TTF-TCNQワイヤは電界が強く、かつ陽極側で成長を開始するまでの時間が短く、また成長速度も速いことを明らかにした。その場観察により得た結果は、従来我々が提唱してきたTTF-TCNQワイヤの成長モデルと整合することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-06
著者
-
酒井 正俊
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大
-
工藤 一浩
千葉大学大学院工学研究科
-
酒井 正俊
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
浦部 裕亮
千葉大学大学院工学研究科
-
多田 喜宏
千葉大学大学院工学研究科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
-
中村 雅一
奈良先端物質
関連論文
- 有機半導体デバイスと実装技術
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
- 2009年度有機分子・バイオエレクトロニクス分科会第2回常任幹事会議事録
- 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 (有機エレクトロニクス)
- 高効率有機発光トランジスタ
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
- 段差型有機FETの電気的特性評価(有機材料・一般)
- 自己配線構造を有する有機ナノFETの作製とチャネル領域における電位分布測定(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
- 通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性(有機材料,一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構(有機材料・デバイス・一般)
- 26pYK-11 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- (BEDT-TTF)(TCNQ)錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性(機能性有機薄膜・一般)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 8)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 7)
- 「自己組織化」有機ナノトランジスタ
- C-13-4 ペンタセン多結晶膜におけるホール輸送障壁と結晶ドメイン内移動度の解析(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- C-13-1 ディスプレイ駆動用有機SITの作製(C-13.有機エレクトロニクス,一般講演)
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般)
- C-13-5 情報タグ用高速有機FETとアンテナ特性の検討(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製(有機材料・一般)
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価(センサ,デバイス,一般)
- 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETの相転移点近傍におけるキャリア伝導と誘電特性の相関(有機材料,一般)
- 27aYD-4 (BEDT-TTF)(TCNQ)配向結晶FETのチャネル内電子/正孔伝導に見られる相転移的振舞い(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料およびデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおけるゲート電界誘起金属-絶縁体転移(有機材料・一般)
- 25pTG-17 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電子移動度の温度依存性と化学ドープ効果(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 自己整合成長有機ナノトランジスタの実現と有機結晶成長への興味
- 有機結晶の電界配向と自己整合成長、それを利用したナノデバイス作製
- 電荷移動錯体を用いた有機半導体デバイス研究の展開
- 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)のキャリア伝導特性と結晶構造の解析(有機デバイス全般・一般)
- ペンタセンTFTにおけるキャリア輸送制限要因に対する基板表面処理および有機層成長速度の影響(有機デバイス全般・一般)
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 縦型有機トランジスタの開発と応用展開 (多種多様な薄膜トランジスタ)
- 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性
- 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
- 酸化亜鉛とペンタセン薄膜トランジスタを用いたコンプリメンタリー型論理素子の作製と評価
- 有機エレクトロニクスの技術進展と展望(有機エレクトロニクス,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- MIMおよびMIS構造における非弾性トンネルスペクトロスコピー
- 有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)の金属-絶縁体転移点近傍におけるFET特性の温度変化(有機デバイス・物性,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 重水素置換BEDT-TTFを用いた(BEDT-TTF)(TCNQ)錯体のambipolar FET特性(有機材料,一般)
- TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般)
- 30aRB-12 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電荷移動錯体ワイヤを用いた有機ナノトランジスタ
- 酸化亜鉛透明電極を用いた縦型有機デバイス
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶媒法によるFET作製(有機材料・一般)
- ご挨拶
- CI-1-1 環境・エネルギー問題から見た有機エレクトロニクスの役割(CI-1.環境・エネルギー問題の解決に貢献する有機材料〜有機エレクトロニクスからの提案,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 応用物理学会の沿革
- 縦型有機トランジスタの開発と応用展開
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶融法によるFET作製
- 有機導体ワイヤ作製技術と有機ナノデバイスへの応用
- CS-11-8 有機導体ワイヤの自己整合的成長と有機ナノトランジスタ(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長(作製・評価技術・一般,有機材料・一般)
- CS-4-6 段差構造縦型有機トランジスタの特性と応用(CS-4.有機半導体の物性とデバイス応用および今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-13-4 ジュール加熱による有機導体TTF-TCNQ接合ワイヤの分子ブレークジャンクション(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 電荷移動錯体薄膜を用いた電界効果トランジスタ
- 21aTR-1 Si基板上に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における焦電電流測定(21aTR 電荷秩序・非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- SC-12-4 電荷移動錯体ワイヤと有機ナノトランジスタの作製(SC-12.有機エレクトロニクスと情報家電・ホームネットワーク)
- SC-7-7 有機ナノトランジスタの作製と評価技術
- CS-5-9 印刷技術を用いた段差構造縦型有機トランジスタ(CS-5.有機分子の特性を活かした材料評価技術とセンシング技術,シンポジウムセッション)
- ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製(センサー,デバイス,一般)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製
- ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収(有機材料,作製・評価技術,一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定(有機材料,作製・評価技術,一般)
- 26pBK-1 Si基板上に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における誘電応答の温度依存性(26pBK 電荷秩序・非線形伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響(TFT(有機,酸化物),一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価
- 21aEB-5 Si基板上に成長した(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における結晶構造の温度依存性(21aEB 中性-イオン性転移(ドナー・アクセプター系),領域7(分子性固体・有機導体))
- 溶融法を用いたフレキシブルデバイス作製法と力学的評価
- 塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製(有機材料・一般)
- 準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果(作製・材料,有機デバイス全般・一般)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 熱プレス法による有機薄膜トランジスタの作製(プロセス技術,展望)
- CS-4-2 無溶媒印刷プロセスを目指した熱プレス法の開発(CS-4.有機エレクトロニクスデバイス作製・評価技術の最新動向と今後の展望)
- β-(BEDT-TTF)_2PF_6結晶における金属-絶縁体温度近傍でのゲート電界の効果(有機デバイス,有機材料作製・評価技術,一般)
- ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- プリンテッド集積回路に向けた積層型論理素子の作製(招待講演,有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般)
- 有限要素解析による有機トランジスタのフレキシブル特性予測(材料デバイスサマーミーティング)