ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-01-28
著者
-
飯塚 正明
千葉大学教育学部
-
渡辺 康之
千葉大学先進科学研究教育センター
-
工藤 一浩
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
家地 洋之
(株)リコー
-
渡辺 康之
千葉大学ベンチャービジネスラボラトリー
-
飯塚 正明
千葉大学 千葉大学工学部 電子機械工学科
-
家地 洋之
(株)リコー先端研
-
工藤 一浩
千葉大学 大学院工学研究科
関連論文
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
- 有機色素を用いたSIT構造カラーセンサの試作
- 高効率有機発光トランジスタ
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- 有機色素を用いた多層構造型カラーセンサの設計
- 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
- 段差型有機FETの電気的特性評価(有機材料・一般)
- 自己配線構造を有する有機ナノFETの作製とチャネル領域における電位分布測定(有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど)・一般)
- 電圧印加熱処理を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 酸化物半導体膜を用いた有機発光トランジスタの作製
- 通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性(有機材料,一般)
- 後処理によるP3HTを用いた電界効果トランジスタの特性制御(有機材料,一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構(有機材料・デバイス・一般)
- 26pYK-11 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性(機能性有機薄膜・一般)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 8)
- 13pWH-15 (BEDT-TTF)(TCNQ) 錯体を用いた両極性電界効果トランジスタの伝導特性(FET, 領域 7)
- その場電界効果測定法による有機EL材料の電気物性評価
- その場電界効果測定による有機EL用材料の電気物性評価
- ペリレン誘導体蒸着膜のFET特性に及ぼす純度、不純物ガス効果
- 機能性有機蒸着膜の電界効果測定とドーピング効果
- In-situ FET測定による p型、n型有機蒸着膜の電気物性評価
- ペンタセン蒸着膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ
- 「自己組織化」有機ナノトランジスタ
- C-13-1 ディスプレイ駆動用有機SITの作製(C-13.有機エレクトロニクス,一般講演)
- C-13-5 情報タグ用高速有機FETとアンテナ特性の検討(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製(有機材料・一般)
- 1G2-B3 「次世代の科学力」を育てる「未来の科学者養成講座」の取り組み(2)(科学教育連携システム,一般研究発表,次世代の科学力を育てる-社会とのグラウンディングを求めて-)
- TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価
- 電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製
- 電荷移動錯体蒸着膜を用いた積層型電界効果素子の作製と評価
- 分子配列制御に対する有機バッファ層中のフッ素とラビング効果
- 自己組織化スピンコート法による有機超薄膜交互積層構造の作製と評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- ペンタセン蒸着膜の熱刺激電流
- イオン化蒸着法を用いた導電性分子ワイヤの形成
- 電荷移動錯体蒸着膜のSTSによる局所物性評価
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 有機半導体蒸着膜へのドーピングと伝導機構
- OME2000-44 イオン化蒸着法を用いた電界配向TTF-TCNQ分子ワイヤの作製
- GaAs基板上TTF-TCNQグレインネットワークの作製
- 複合型有機ELトランジスタの試作
- 銅フタロシアニン静電誘導トランジスタの空間電荷伝導
- TCNQ LB膜を用いたドナー・アクセプタ層状構造FET
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- SC-9-2 SPMを用いた有機超薄膜の局所物性評価と分子トランジスタへの応用
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 未来の科学者養成講座におけるプログラム開発とその実施
- 導電性AFM探針を用いた有機ナノSITの作製
- 電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜FETの作製
- 複合型有機発光トランジスタ
- 複合型有機発光トランジスタ
- ペンタセン静電誘導トランジスタにおけるソース電極の検討(有機材料・デバイス・一般)
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- ペンタセン蒸着膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ
- ペンタセン薄膜を用いた有機LED駆動用トランジスタの作製(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- 電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御
- 未来の科学者養成講座におけるプログラム開発とその実施
- その場電界効果トランジスタ評価
- 有機超薄膜の機能性と分子電子デバイス
- TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般)
- 1A-05 「未来の科学者養成講座」と「キャリア教育」 : 理数学習支援における人材育成(一般研究発表(口頭発表))
- 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長 (有機エレクトロニクス)
- 電荷移動錯体ワイヤを用いた有機ナノトランジスタ
- 電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜トランジスタの作製
- マイクロ4探針を用いた導電率・FET測定による有機薄膜の電気物性評価(有機材料・一般)
- 銅フタロシアニン蒸着膜を用いたショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 銅フタロシアニンを用いた静電誘導トランジスタの作製と応用
- CuPcショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 縦型有機トランジスタの開発と応用展開
- 走査型トンネル分光法による銅フタロシアニン蒸着膜の局所物性評価
- 半導体探針を用いたSTSによる有機超薄膜の局所物性評価
- 電荷移動錯体のナノエレクトロニクスへの応用 : 分子配線と相転移トランジスタ
- 電荷移動錯体を用いた分子ワイヤおよび新型トランジスタの作製
- 複合型有機発光トランジスタ
- CS-11-8 有機導体ワイヤの自己整合的成長と有機ナノトランジスタ(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- 有機多層構造セルの光電流スペクトル特性
- 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長(作製・評価技術・一般,有機材料・一般)
- ドナー・アクセプタ積層型電界効果素子における電荷移動量の評価
- 未来の科学者養成講座における受講生の選抜・養成の第2期・第3期での新たな展開
- 主体的に粘り強く未来を切り開く科学者養成プログラムの成果と課題(科学才能教育-児童生徒の多様なニーズに応じる科学教育の新展開-)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 主体的に粘り強く未来を切り開く科学者養成プログラムの成果と課題
- ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製
- 走査型プローブ顕微鏡を用いた有機超薄膜の局所物性評価
- 塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製(有機材料・一般)
- 「次世代の科学力」を育てる「未来の科学者養成講座」の取り組み(2)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製(有機デバイス・センサー,一般)
- UV/O3アシスト熱処理法による塗布による塗布型酸化物FETの特性向上