電荷移動錯体蒸着膜のSTSによる局所物性評価
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概要
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代表的な電荷移動錯体であるTTF-TCNQ蒸着膜について、STM及びSTS測定を行い、表面グレイン形状の違いとトンネルスペクトルとの関連を調べた。その結果、異なる形状のグレインではトンネルスペクトルも異なっていることが確認された。一方、TTF-TCNQのバルクの性質として報告されている金属的な性質とは異なるスペクトルが得られやすいことも確認された。試料を窒素中60℃で1.5時間アニールすることによって、金属的なトンネルスペクトルが得られるようになることから、膜表面に薄い半導体的な層が形成されていると考えられる。また、アニール後も半導体スペクトルが得られる特異的なグレインの存在も確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
-
田中 國昭
千葉大
-
工藤 一浩
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学 千葉大学工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
中村 雅一
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
大池 洋久
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
-
工藤 一浩
千葉大学 大学院工学研究科
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