PTFE膜上TTF-TCNQのモル組成比制御及び分子配向評価
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概要
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真空蒸着法を用いて、PTFEラビング処理基板上にTTF-TCNQ電荷移動錯体を成長させた。この際、蒸着源をTTFとTCNQに分離したときとTTF-TCNQ錯体にしたときにおける基板上のTTF-TCNQモル組成比の基板温度依存性について評価し、またPTFEラビング処理基板上に成長するTTF-TCNQ分子のその場観測をするため、その場偏光光学測定を行いTTF-TCNQの成長中の分子配向評価を試みた。蒸着源温度や成長基板温度を制御することによって、PTFEラビング処理基板上にモル組成比1:1のTTF-TCNQを作製させることができ、またTTF-TCNQ単結晶グレインのPTFEラビング鎖に対して垂直方向への配向成長が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-29
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
米 竜大
千葉大学工学部電子機械工学科
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