TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価
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概要
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共蒸着法を用いて, 成長基板温度と各蒸発源供給量を変化させたTTF-TCNQ電荷移動錯体薄膜を作製し, そのモル組成比, 導電率, 電荷移動量について評価した. モル組成比が1:1となる成長基板温度領域が存在し, その組成比に対応した導電率変化が見られた. また, 基板表面方向に電界を印加しながら作製した共蒸着膜は, その導電率と電荷移動状態に変化を起こすことが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-28
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
住本 勉
千葉大学工学部電気電子工学科
-
藤村 大
千葉大学工学部電気電子工学科
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