ペリレン誘導体蒸着膜のFET特性に及ぼす純度、不純物ガス効果
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概要
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n型有機半導体の一つとして知られているペリレン誘導体(PTCDI)蒸着膜を作製しin-situ電界効果(FET)測定を行った。未精製物と昇華精製よりできた精製物について調べたところFET特性を示すもの、示さないものとに分類できた。FET特性から各PTCDI蒸着膜がn型半導体的性質を示し、導電率、キャリア移動度、キャリア濃度が求められた。また純度の違いや酸素ガスがその電気物性値に大きな影響を与えていることがわかった。成長時基板温度、アニールによる物性値の変化についても調べた結果、PTCDI蒸着膜に酸素ガスをさらすとそのFET特性は失われたが真空中でのアニールにより再びFET特性が回復することが確認された。
- 1998-05-29
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学工学部電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
須賀 武
千葉大学工学部電子機械工学科
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