C_<60>蒸着膜を用いたMOS構造素子のC-V特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
フラーレンC_60>は超伝導や強磁性など興味ある機能を有するπ共役系分子として注目されているが、依然として、キャリア濃度、移動度といった基礎的な物性定数や電気伝導機構に関しては不明な点が数多く残っており、また不純物や雰囲気の影響などについての議論も少ない。今回、C_60>を用いて金属-酸化膜-半導体(MOS)構造素子を作製し、容量-電圧(C-V)測定と電界効果測定を行った。その結果、C_60>蒸着膜はn型半導体的性質を示すことが確認され、さらにキャリア濃度、電界効果移動度といった諸量の算出を行った。特に電界効果測定はin-situでの評価であり、薄膜本来の物性を調べる上において非常に有用である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-08-09
著者
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
国吉 繁一
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学工学部
-
更屋 拓哉
千葉大・工
-
更屋 拓哉
千葉大学工学部電気電子工学科
関連論文
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討(有機材料・薄膜・界面・デバイス/フィルムベースデバイスのための界面制御とプロセス技術)
- 2009年度有機分子・バイオエレクトロニクス分科会第2回常任幹事会議事録
- 有機色素を用いたSIT構造カラーセンサの試作
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- 有機半導体研究の事始めと応用物理
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- 有機色素を用いた多層構造型カラーセンサの設計
- 塗布型有機薄膜トランジスタの作製と特性評価
- 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
- 電圧印加熱処理を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 酸化物半導体膜を用いた有機発光トランジスタの作製
- 通電加熱による有機ナノFETの作製とデバイス特性(有機材料,一般)
- 後処理によるP3HTを用いた電界効果トランジスタの特性制御(有機材料,一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構(有機材料・デバイス・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)錯体を用いたambipolar動作FETの動作特性(機能性有機薄膜・一般)
- ペリレン誘導体蒸着膜のFET特性に及ぼす純度、不純物ガス効果
- 機能性有機蒸着膜の電界効果測定とドーピング効果
- In-situ電界効果測定によるH_2Pc, CuPc, PbPc蒸着膜の電気物性評価
- ペンタセン蒸着膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ
- 「自己組織化」有機ナノトランジスタ
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源
- ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般)
- 半導体デバイスシミュレーションによるペンタセン結晶粒界の解析
- 有機半導体デバイスシミュレーションのためのキャリア移動度モデルの検討(有機材料・デバイス・一般)
- 情報タグ用高速有機回路素子の検討
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- ZnO薄膜を用いた有機発光トランジスタの作製(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- 電位分布測定用導電性AFM探針と有機半導体間の接触抵抗評価(材料デバイスサマーミーティング)
- TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価
- 電界効果測定による機能性有機蒸着膜のその場電気物性評価
- 電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製
- 電荷移動錯体蒸着膜を用いた積層型電界効果素子の作製と評価
- 分子配列制御に対する有機バッファ層中のフッ素とラビング効果
- 自己組織化スピンコート法による有機超薄膜交互積層構造の作製と評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- ペンタセン蒸着膜の熱刺激電流
- イオン化蒸着法を用いた導電性分子ワイヤの形成
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- OME2000-44 イオン化蒸着法を用いた電界配向TTF-TCNQ分子ワイヤの作製
- GaAs基板上TTF-TCNQグレインネットワークの作製
- 複合型有機ELトランジスタの試作
- 銅フタロシアニン静電誘導トランジスタの空間電荷伝導
- TCNQ LB膜を用いたドナー・アクセプタ層状構造FET
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- SC-9-2 SPMを用いた有機超薄膜の局所物性評価と分子トランジスタへの応用
- 熱刺激電流とキャパシタンス測定による鉛フタロシアニン蒸着膜の局在準位評価
- 井口洋夫博士京都賞受賞について
- 電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜FETの作製
- 複合型有機発光トランジスタ
- 複合型有機発光トランジスタ
- 有機超薄膜研究の最近の展開
- C_蒸着膜を用いたMOS構造素子のC-V特性
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- MIMおよびMIS構造における非弾性トンネルスペクトロスコピー
- 光ファイバ上に累積された色素吸着LB膜の光学的評価
- 有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)の金属-絶縁体転移点近傍におけるFET特性の温度変化(有機デバイス・物性,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- ペンタセン蒸着膜を用いた縦型・横型有機トランジスタ
- ペンタセン薄膜を用いた有機LED駆動用トランジスタの作製(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- 電界印加蒸着法による有機トランジスタの特性制御
- 有機界面幾何工学とエレクトロニクス
- InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
- InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
- 25pA5 有機半導体薄膜の電気物性評価とデバイス応用(バルクシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- その場電界効果トランジスタ評価
- 2項 有機半導体デバイスとその材料評価技術(4節 通研講演会)(第5章 国際会議・シンポジウム等)
- SC-6-5 電界効果トランジスタ構造素子による有機薄膜の電気物性評価
- 機能性有機薄膜のその場電界効果測定と電子デバイスへの応用
- 有機超薄膜の機能性と分子電子デバイス
- エピタキシャル層の電気・光学的評価(アトミックルールプロセス)
- 重水素置換BEDT-TTFを用いた(BEDT-TTF)(TCNQ)錯体のambipolar FET特性(有機材料,一般)
- TMTSF-TCNQ電荷移動錯体FETの基板温度・電圧印加による特性制御(機能性有機薄膜,一般)
- 30aRB-12 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶における両極キャリア注入とその温度依存性II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 電荷移動錯体ワイヤを用いた有機ナノトランジスタ
- 電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜トランジスタの作製
- 酸化亜鉛透明電極を用いた縦型有機デバイス
- マイクロ4探針を用いた導電率・FET測定による有機薄膜の電気物性評価(有機材料・一般)
- 銅フタロシアニン蒸着膜を用いたショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 銅フタロシアニンを用いた静電誘導トランジスタの作製と応用
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶媒法によるFET作製(有機材料・一般)
- 「第6回有機エレクトロニクス国際シンポジウム(ISOME2010)」開催報告 : M&BE研究活性化支援金 活動報告
- 巻頭言
- The 5th International Symposium on Organic Molecular Electronics (第5回有機分子エレクトロニクスに関する国際シンポジウム, ISOME2008) : 会議報告
- 走査型トンネル分光法による銅フタロシアニン蒸着膜の局所物性評価
- 半導体探針を用いたSTSによる有機超薄膜の局所物性評価
- 電圧印加LB法による分子吸着状態制御
- ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 : ホール輸送障壁と結晶内有効質量(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- ペンタセン多結晶膜における横方向キャリア伝導 : ホール輸送障壁と結晶内有効質量(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電荷移動錯体のナノエレクトロニクスへの応用 : 分子配線と相転移トランジスタ
- 有機半導体材料のゾーン精製と溶融法によるFET作製
- 有機導体ワイヤ作製技術と有機ナノデバイスへの応用
- 有機多層構造セルの光電流スペクトル特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ錯体グレインの配向制御