有機半導体デバイスシミュレーションのためのキャリア移動度モデルの検討(有機材料・デバイス・一般)
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概要
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ペンタセンを用いた横型電界効果トランジスタ(FET)と縦型FETのデバイスを, デバイスシミュレーターを使って解析した.キャリア移動度モデルとして電界強度依存性を導入し, 移動度を一定とする定数移動度モデルと比べ, どちらがより高い精度でFETのI-V特性を再現できるかを確認した.縦型FETでは, 電界強度依存性を導入することで, デバイスのI-V特性に生じる非線形性を再現することができた.一方で横型FETでは, 電界強度依存性を導入するとon状態でのI-V特性が再現できず, 定数移動度モデルの方が再現性が高いことが明らかになった.両者を統一的に再現するため, ペンタセンのキャリア移動度モデルにはキャリア密度依存性が必要であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
中村 雅一
千葉大学工学部
-
工藤 一浩
千葉大学工学部
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
大橋 昇
千葉大学大学院工学研究科
-
大橋 昇
千葉大学工学部電子機械工学科
-
平島 直樹
千葉大学工学部電子機械工学科
-
後藤 直行
千葉大学工学部電子機械工学科
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