ドナー・アクセプタ積層型電界効果素子における電荷移動量の評価
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概要
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ドナー性分子としてTMTSF(テトラメチルテトラセレナフルバレン)、アクセプタ性分子としてTCNQ(テトラシアノキノジメタン)を用いて積層構造の電界効果(FET)素子を作製した。積層した界面には電荷移動錯体が形成され、ゲート電圧を印加することによって錯体層近傍の導電率変化に基づくトランジスタの動作特性を確認した。またTMTSF/TCNQ積層構造、TCNQ/TMTSF積層構造のどちらにおいても、一層だけの構造を持つ素子より相互コンダクタンス(g_m)は増大していた。次にゲート電圧を印加した時の積層膜内の電荷移動状態を調べるため赤外反射吸収スペクトルを測定したところ、TCNQ分子内のシアノ基(C≡N)の電荷状態に対応するピークのシフトが見られ、積層膜内の電荷分布変化を示唆する結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-20
著者
-
工藤 一浩
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学 千葉大学工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
白鳥 靖人
千葉大学 工学部 電気電子工学科
-
工藤 一浩
千葉大学 大学院工学研究科
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