CuPcショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
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概要
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半導体的性質を示す銅フタロシアニン(CuPc)を用いた静電誘導型電界効果トランジスタ(SIT)を作製した。AlとCuPc蒸着膜との接触界面に形成されたショットキー障壁を利用したスリット状Alゲート電極に印加した電圧を変化させることによって、ソース・ドレイン間電流I_<DS>を制御できることが分かった。この素子の特性はゲートバイアス電圧V_<GS>とスリット状Alゲート電極の構造に強く依存し、スリット状Al電極の適切な設計により、良好なトランジスタの静・動特性が得られることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-20
著者
-
工藤 一浩
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
飯塚 正明
千葉大学工学部
-
飯塚 正明
千葉大学 千葉大学工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
王 東興
千葉大学
-
王 東興
千葉大学 工学部 電気電子工学科
-
工藤 一浩
千葉大学 大学院工学研究科
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