In-situ FET測定による p型、n型有機蒸着膜の電気物性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
p型、n型有機半導体の代表例として用いられているフタロシアニン化合物(H^2Pc,CuPc,PbPc) とぺリレン化合物(PTCDI)について、試料作製直後にin-situ電界効果(FET)測定を行った。その結果、用いたフタロシアニン膜は全てp型半導体的性質を示すことが確認され、キャリア移動度、導電率、キャリア濃度といった諸物性量を求めることができた。また、引き続いてアニールや酸素ガスの導入を行うことによるそれら諸物性の変化についても調べた。ー方、PTCDI膜は導電率が非常に小さく、半絶縁性を示し、明確なp, n判定はできなかった。
- 1996-01-18
著者
-
工藤 一浩
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
国吉 繁一
千葉大学大学院工学研究科
-
平賀 浩二
千葉大学工学部電気電子工学科
-
住本 勉
千葉大学工学部電気電子工学科
-
国吉 繁一
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
田中 國昭
千葉大学 工学部 電子機械工学科
-
住本 勉
千葉大学 工学部 電気電子工学科
-
平賀 浩二
千葉大学 工学部 電気電子工学科
-
工藤 一浩
千葉大学 大学院工学研究科
関連論文
- 有機色素を用いたSIT構造カラーセンサの試作
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 (有機エレクトロニクス)
- 高効率有機発光トランジスタ
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- 有機色素を用いた多層構造型カラーセンサの設計
- 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製(センサー,デバイス,一般)
- 段差型有機FETの電気的特性評価(有機材料・一般)
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性
- ペンタセン蒸着膜を用いた静電誘導トランジスタの作製及びその特性(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
- その場電界効果測定法による有機EL材料の電気物性評価
- その場電界効果測定による有機EL用材料の電気物性評価
- ペリレン誘導体蒸着膜のFET特性に及ぼす純度、不純物ガス効果
- 機能性有機蒸着膜の電界効果測定とドーピング効果
- In-situ電界効果測定によるH_2Pc, CuPc, PbPc蒸着膜の電気物性評価
- In-situ FET測定による p型、n型有機蒸着膜の電気物性評価
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価(センサ,デバイス,一般)
- 種々面方位基板上に成長したInAs/GaAs歪超格子の光伝導過渡応答測定
- TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価
- 電界効果測定による機能性有機蒸着膜のその場電気物性評価
- 電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製
- 電荷移動錯体蒸着膜を用いた積層型電界効果素子の作製と評価
- 分子配列制御に対する有機バッファ層中のフッ素とラビング効果
- 自己組織化スピンコート法による有機超薄膜交互積層構造の作製と評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- ペンタセン蒸着膜の熱刺激電流
- イオン化蒸着法を用いた導電性分子ワイヤの形成
- 電荷移動錯体蒸着膜のSTSによる局所物性評価
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 有機半導体蒸着膜へのドーピングと伝導機構
- OME2000-44 イオン化蒸着法を用いた電界配向TTF-TCNQ分子ワイヤの作製
- GaAs基板上TTF-TCNQグレインネットワークの作製
- 複合型有機ELトランジスタの試作
- 銅フタロシアニン静電誘導トランジスタの空間電荷伝導
- TCNQ LB膜を用いたドナー・アクセプタ層状構造FET
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- SC-9-2 SPMを用いた有機超薄膜の局所物性評価と分子トランジスタへの応用
- 高効率有機発光トランジスタ(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 熱刺激電流とキャパシタンス測定による鉛フタロシアニン蒸着膜の局在準位評価
- 導電性AFM探針を用いた有機ナノSITの作製
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- MIMおよびMIS構造における非弾性トンネルスペクトロスコピー
- MIS構造における非弾性トンネルスペクトロスコピーのシミュレーション
- 光ファイバ上に累積された色素吸着LB膜の光学的評価
- 光ファイバ上に累積された吸着LB膜の光学的評価
- その場電界効果トランジスタ評価
- 有機超薄膜の機能性と分子電子デバイス
- 銅フタロシアニン蒸着膜を用いたショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 銅フタロシアニンを用いた静電誘導トランジスタの作製と応用
- CuPcショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 縦型有機トランジスタの開発と応用展開
- 走査型トンネル分光法による銅フタロシアニン蒸着膜の局所物性評価
- 半導体探針を用いたSTSによる有機超薄膜の局所物性評価
- 電荷移動錯体を用いた分子ワイヤおよび新型トランジスタの作製
- 複合型有機発光トランジスタ
- CS-11-8 有機導体ワイヤの自己整合的成長と有機ナノトランジスタ(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- 有機多層構造セルの光電流スペクトル特性
- ドナー・アクセプタ積層型電界効果素子における電荷移動量の評価
- 電荷移動錯体を用いた新型電界効果トランジスタの試作
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ錯体グレインの配向制御
- PTFE膜上TTF-TCNQのモル組成比制御及び分子配向評価
- 種々色素吸着LB膜の負性光電特性と構造評価
- 半導体チップ探針を用いた STM による有機超薄膜の局所物性評価
- 偏光吸収・蛍光測定による吸着LB膜の分子配列評価
- 電圧印加LB法による電荷移動錯体の形成制御
- 塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製 (有機エレクトロニクス)
- 分子技術と印刷技術を基盤とする有機電子デバイス
- 半導体チップを用いたSTMによる有機超薄膜の局所物性評価
- 走査型プローブ顕微鏡を用いた有機超薄膜の局所物性評価
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定(有機材料,作製・評価技術,一般)
- AFMポテンショメトリとマイクロ4探針による有機材料の局所導電率評価
- CS-4-2 無溶媒印刷プロセスを目指した熱プレス法の開発(CS-4.有機エレクトロニクスデバイス作製・評価技術の最新動向と今後の展望)
- ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- (BEDT-TTF) (TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定