C-12-8 織物構造によるハイブリッド光・電子集積システムの提案II : 電子集積回路構成例
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
関連論文
- 有機色素を用いたSIT構造カラーセンサの試作
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- 有機色素を用いた多層構造型カラーセンサの設計
- その場電界効果測定法による有機EL材料の電気物性評価
- その場電界効果測定による有機EL用材料の電気物性評価
- ペリレン誘導体蒸着膜のFET特性に及ぼす純度、不純物ガス効果
- 機能性有機蒸着膜の電界効果測定とドーピング効果
- In-situ電界効果測定によるH_2Pc, CuPc, PbPc蒸着膜の電気物性評価
- C-12-8 織物構造によるハイブリッド光・電子集積システムの提案II : 電子集積回路構成例
- TTF-TCNQ錯体薄膜の組成・配向制御と電気物性評価
- 電界効果測定による機能性有機蒸着膜のその場電気物性評価
- 電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製
- 電荷移動錯体蒸着膜を用いた積層型電界効果素子の作製と評価
- 分子配列制御に対する有機バッファ層中のフッ素とラビング効果
- 自己組織化スピンコート法による有機超薄膜交互積層構造の作製と評価(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
- ペンタセン蒸着膜の熱刺激電流
- イオン化蒸着法を用いた導電性分子ワイヤの形成
- 電荷移動錯体蒸着膜のSTSによる局所物性評価
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 吸着LB膜を用いた光ファイババイオセンサ
- 有機半導体蒸着膜へのドーピングと伝導機構
- OME2000-44 イオン化蒸着法を用いた電界配向TTF-TCNQ分子ワイヤの作製
- GaAs基板上TTF-TCNQグレインネットワークの作製
- 複合型有機ELトランジスタの試作
- 銅フタロシアニン静電誘導トランジスタの空間電荷伝導
- TCNQ LB膜を用いたドナー・アクセプタ層状構造FET
- 有機色素を用いたSIT構造光センサの評価
- SC-9-2 SPMを用いた有機超薄膜の局所物性評価と分子トランジスタへの応用
- 熱刺激電流とキャパシタンス測定による鉛フタロシアニン蒸着膜の局在準位評価
- C-12-7 織物構造によるハイブリッド光・電子集積システムの提案I : 新しい集積エレクトロニクスの概念
- 導電性AFM探針を用いた有機ナノSITの作製
- 電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜FETの作製
- 複合型有機発光トランジスタ
- 複合型有機発光トランジスタ
- C_蒸着膜を用いたMOS構造素子のC-V特性
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- 吸着LB膜を用いたタンパク検出用光ファイバセンサ
- MIMおよびMIS構造における非弾性トンネルスペクトロスコピー
- 光ファイバ上に累積された色素吸着LB膜の光学的評価
- InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
- InAs成長に於けるGaAs基板画方位依存性
- 1999 IEMT/IMC シンポジウムを終えて(1999 IEMT/IMC シンポジウム報告)
- 1999IEMT/IMCシンポジウム報告
- 大学における技術史教育
- 電気電子工学科歴史的保存物品目録 : 電子管
- 銅フタロシアニン蒸着膜を用いたショットキーゲート型静電誘導トランジスタの動作特性
- 銅フタロシアニンを用いた静電誘導トランジスタの作製と応用
- 走査型トンネル分光法による銅フタロシアニン蒸着膜の局所物性評価
- 半導体探針を用いたSTSによる有機超薄膜の局所物性評価
- 電圧印加LB法による分子吸着状態制御
- エレクトロニクス研究グループの活動と分野の将来展望
- 複合型有機発光トランジスタ
- 有機多層構造セルの光電流スペクトル特性
- 電荷移動錯体を用いた新型電界効果トランジスタの試作
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 有機横型、縦型電界効果素子の動作特性
- 電界印加共蒸着法によるTTF-TCNQ錯体グレインの配向制御
- PTFE膜上TTF-TCNQのモル組成比制御及び分子配向評価
- 種々色素吸着LB膜の負性光電特性と構造評価
- 半導体チップ探針を用いた STM による有機超薄膜の局所物性評価
- 偏光吸収・蛍光測定による吸着LB膜の分子配列評価
- 電圧印加LB法による電荷移動錯体の形成制御
- ドナー性分子吸着TCNQLB膜における電荷移動錯体の形成と評価