小林 直人 | 電総研
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概要
関連著者
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小林 直人
電総研
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林 伸行
電総研
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小柳 正男
電総研
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塚本 桓世
SPring-8
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小原 明
電総研
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浮辺 雅宏
産業技術総合研究所
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大久保 雅隆
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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大久保 雅隆
産業技術総合研究所計測標準研究部門
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大久保 雅隆
電総研
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浮辺 雅宏
電総研
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牧田 雄之助
電総研
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桜木 史朗
ユニオンマテリアル(株)
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長谷川 雅考
電総研
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浮辺 雅宏
産総研
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浮辺 雅宏
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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田中 啓一
SIIナノテク
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田中 啓一
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)
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塚本 桓世
東理大理
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師岡 利光
セイコーインスツルメンツ
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茅根 一夫
セイコーインスツルメンツ
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師岡 利光
Sii
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平山 文紀
産業技術総合研究所
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田中 啓一
セイコーインスツルメンツ
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平山 文紀
電総研
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田中 啓一
(株)エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社研究開発部
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掛本 博文
東理大理
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茅根 一夫
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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辛 埴
東大物性研
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柴田 肇
電総研
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小林 直人
電子技術総合研究所
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和泉 富雄
東海大学工学部
-
和泉 富雄
東海大学総合科学技術研究所
-
和泉 富雄
東海大学
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田中 保宣
電総研
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Higuchi T
東理大理
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大久保 雅隆
電子技術総合研究所
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片桐 政樹
原子力機構
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片桐 政樹
日本原子力研究開発機構
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鈴木 良一
電総研
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三角 智久
電総研
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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植草 新一郎
明治大学理工学部
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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高橋 浩之
東京大学大学院
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奥田 高士
電総研
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中村 龍也
原子力機構
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樋口 透
東理大理
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川邊 潮
千葉工大
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小林 寿夫
電総研
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石井 慶信
原研東海
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石井 慶信
放振協
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末益 崇
筑波大物理工
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坂本 勲
電総研
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沼澤 健則
金材研
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根本 俊雄
明治大学
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勝俣 裕
(株)東芝生産技術センター
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中村 龍也
原研・中性子利用研究センター
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奥村 元
産業技術総合研究所
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植草 新一郎
明治大学理工学部電気電子工学科
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植草 新一郎
明治大学
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田辺 圭一
国際超電導産業技術センター
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鈴木 宏治
(財)国際超電導産業技術研究センター・超電導工学研究所
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岸本 牧
日本原子力研究所
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平山 文紀
電子技術総合研究所
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福田 大治
産業技術総合研究所計測標準研究部門
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大久保 雅隆
産総研
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福田 大治
東京大学大学院工学系研究科
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水城 琢
明治大学
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彦坂 朋孝
千葉工大
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沼津 健則
NIMS
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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中沢 正治
東京大学大学院 工学系研究科
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長谷川 雅孝
電総研
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中沢 正治
東京大学大学院工学系研究科システム量子工学
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田辺 圭一
国際超電導産業技術研究セ 超電導工研
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長谷川 文夫
筑波大学物理工学系
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末益 崇
筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻
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末益 崇
筑波大
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掛本 博文
東大理
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樋口 透
東大理
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塚本 垣世
東大理
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中尾 政子
東京理科大
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安藤 靜敏
東理大理
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岡村 総一郎
東理大理
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蔡 育欣
ユニオンマテリアル
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勝俣 裕
電総研
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能代 幸伸
電総研
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中村 龍也
原子力機構j-parcセ
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梨山 勇
電総研
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西島 俊二
電総研
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奥村 元
埼玉大学
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長谷川 文夫
筑波大学
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片桐 政樹
日本原子力研究所
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谷川 庄一郎
筑波大 物質
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倉門 雅彦
大阪電気通信大学大学院・工学研究科
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中村 龍也
東京大学大学院工学系研究科
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大久保 雅隆
電子技術総合研究所・量子放射部
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鈴木 宏治
国際超電導産業技術研究センター・超電導工学研究所
-
倉門 雅彦
大阪電気通信大学
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
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Meyer O.
Karlsruhe核研
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Linker G.
Karlsruhe核研
著作論文
- 超伝導転移端(TES)マイクロカロリメーターアレイの開発
- ブリッジ構造超伝導転移端マイクロカロリメーターのX線信号波形解析
- 超伝導転移を利用したカロリーメーターの設計と作製
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係 (特集 低温放射線検出器)
- 計測標準技術分野における研究の現状と今後の展開 (シリーズ特集 電総研2000年--研究の現状と今後の展開の方向(3)計測標準技術分野)
- 31a-Y-11 Fe-Si系化合物の作製と評価(IV)
- α-SiCへのGa+イオン注入によるp型層の形成 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- 7a-PS-1 シリコンの固相結晶成長に対する水素の影響
- 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
- 水素終端シリコン表面上でのシリコンの固相結晶成長
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- 28a-S-7 Si(001)表面における数原子層のFeと基板との反応
- 中エネルギ-イオン散乱分光システムの開発 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- イオンビ-ム誘起結晶成長に対する不純物の影響 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 中エネルギ-イオンビ-ムによる半導体の結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 化合物半導体・合金半導体のイオンビ-ム誘起結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 4a-F-1 (Bi, Y)_3Fe_5O_の磁性
- 1a-R-10 チャネリング法によるBP単結晶の照射損傷測定
- 4a-U-11 NbのHe照射損傷分布測定
- TESマイクロカロリメーターの開発
- 準粒子トラップ層を持つ超伝導トンネル接合型X線検出器の開発
- 超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係
- 31a-A5-11 イオン照射を受けたNbCのチャネリング実験(31a A5 放射線物理)
- 31p-W-2 水素終端シリコン表面と鉄との反応(31pW 放射線物理,放射線物理)