谷川 庄一郎 | 筑波大物理工
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概要
関連著者
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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近藤 一史
筑波大学物質工学系
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谷川 庄一郎
筑波大物質工
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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久保田 剛
筑波大物質工
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谷川 庄一郎
筑波大物質
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村上 恭和
筑波大 物質
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中嶋 宏樹
筑波大物質工
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田吹 廉
筑波大学物質工学系
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久保田 剛
筑波大学物質工学系
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村上 恭和
筑波大学物質工学系
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魏 龍
筑波大学物質工学系
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近藤 一史
筑波大物質工学
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久保田 剛
筑波大物質工学系
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藤井 知
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
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鈴木 良一
筑波大学物質工学系
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中嶋 宏樹
筑波大物質工学系
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谷川 庄一郎
筑波大 物質
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西山 樟生
東大理中間
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上殿 明良
筑波大物理工
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生形 友宏
筑波大物理工
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鈴木 良一
電総研
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永嶺 謙忠
理研
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中嶋 宏樹
筑波大学物質工学系
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寺嶋 一高
新技術事業団木村融液動態プロジェクト
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門野 良典
理研
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寺嶋 一高
新技術事業団
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鈴木 良一
電子技術総合研究所
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松下 明
理研
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藤井 知
住友電工
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西山 樟生
東大理 中間子
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西山 樟生
東大理
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上殿 明良
東京大学先端科学技術研究センタ-
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大平 俊行
産総研
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村松 誠
筑波大物理工
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渡辺 匡人
NEC
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大平 俊行
電総研
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三角 智久
電総研
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谷野 浩敏
筑波大物質工
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中野 明彦
STARC
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山本 秀和
STARC
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森下 憲雄
原研高崎研
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伊藤 久義
原研高崎研
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鹿田 真一
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
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渡辺 匡人
NEC基礎研究所
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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森 和照
筑波大学物質工学系
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中居 克彦
新日本製鐡(株)先端技術研究所半導体基盤研究部
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山本 良一
東大先端研
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栗原 俊一
KEK
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魏 龍
筑波大、物質工
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田吹 廉
筑波大、物質工
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大嶋 健一
筑波大学物理工学系
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松尾 欣枝
奈良女子大学物理
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時崎 栄治
新技術事業団木村融液動態プロジェクト
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村上 恭和
筑波大物質工学系
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永井 亮
日立中研
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武田 英二
日立中研
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山崎 敏光
東大理
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山本 良一
東大工
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堂山 昌男
東大工
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小林 直人
電総研
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伊藤 久義
原子力機構
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植村 泰朋
東大理
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渡辺 一裕
筑波大物質工
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林 伸行
電総研
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中井 龍資
東大工
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河内 勝
(株) 東芝総合研究所
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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上殿 明良
東大工
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渡辺 健次
中央大理工
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伊藤 久義
原研高崎
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大嶋 健一
筑波大物工
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長谷川 雅孝
電総研
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河野 孝央
筑波大学アイソトープセンター
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鹿田 真一
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
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深井 有
中央大理工
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川辺 光央
筑波大物質工
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藤井 知
住友電気工業(株)ITコンポーネント事業部
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河野 孝央
アイソトープセンター
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趙 陽九
韓国標準研
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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魏 龍
筑波大物質工
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松尾 欣枝
奈良女子大物理
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松尾 欣枝
奈良女子大学
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大嶋 健一
筑波大
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渡邉 匡人
学習院大 理
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奥田 重雄
筑波大学物質工学系
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奥田 重雄
筑波大物質
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奥田 重雄
筑波大物理工学系
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時崎 栄治
新技術事業団 木村融液動態プロジェクト
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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李 鐘覧
筑波大物質工
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松尾 欣枝
奈良女子大、理
著作論文
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 27a-ZD-7 反射高速陽電子回折(RHEPD)装置の試作
- 28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 28a-K-9 単色陽電子線によるW/Si界面反応の検出
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 27a-T-8 陽電子消滅によるCuの3次元運動量分布の測定
- 27a-T-7 陽電子消滅によるMgの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-6 陽電子消滅によるV, Taの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-5 単色陽電子線によるSi中の応力誘起酸素クラスターの検出
- 陽電子消滅によるAlの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅によるCr,Wの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅法によるCoのスピンに依存した電子運動量分布の測定
- ZnSe バルク単結晶の固相成長
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 陽電子消滅の計測と得られる情報 1.二次元角相関
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子分光学とその応用
- 陽電子を用いた表面解析 (物理表面の物理分析技術)
- 陽電子消滅によるSi結晶中の空孔型欠陥および酸素の挙動の評価
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 2p-F-3 陽電子消滅による半導体中の3次元電子運動量分布と点欠陥の関係
- 27a-J-6 ジルコニウム・ハイドライド中の正ミューオンの挙動
- 27a-J-7 NaClの陽電子寿命・γ線エネルギーの相関
- 2a-Z-11 単色陽電子線によるGaAs中の点欠陥の検出
- ポジトロン消滅と材料の解析
- 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
- 2p-TA-1 陽電子顕微鏡の開発の現状
- 低速陽電子ファクトリ- (電子・陽電子--極微の世界のス-パ-スタ-)
- 科学技術最先端シリ-ズ-5-レプトン応用計測