上殿 明良 | 筑波大学物理工学系
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概要
関連著者
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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大平 俊行
産総研
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大島 永康
産総研
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大島 永康
産業技術総合研究所
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大島 永康
理化学研究所
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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秩父 重英
東北大学多元物質科学研究所
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秩父 重英
筑波大物工
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木野村 淳
産総研
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藤浪 真紀
千葉大院工
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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羽豆 耕治
東北大学多元物質科学研究所
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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大島 永康
東大 大学院
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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宗田 孝之
早稲田大学
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山部 紀久夫
筑波大学
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藤波 真紀
新日鉄先端技術研
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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木野村 淳
産業技術総合研究所
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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木野 村淳
産総研
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窪田 翔二
筑波大数理
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渡邉 宏理
筑波大数理
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鳴海 貴允
筑波大数理
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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林崎 規託
東京工業大学
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黒田 隆之助
産業技術総合研究所
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黒田 隆之助
産総研
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林崎 規託
東工大原子炉研
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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オローク ブライアン
産業技術総合研究所
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オローク ブライアン
産総研
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天神林 和樹
筑波大数理
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鈴木 茂
東北大学多元物質科学研究所
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打越 雅仁
東北大多元研
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鈴木 茂
東北大多元研
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石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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大島 永康
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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岡 壽崇
千葉大院工
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藤浪 真紀
干葉大院工
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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秩父 重英
筑波大院電子物理工&21COE
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鈴木 智士
筑波大院電子物理工&21COE
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野坂 大樹
筑波大院電子物理工&21COE
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杉山 睦
筑波大院電子物理工&21COE
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尾沼 猛儀
科技機構創造中村P
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上殿 明良
筑波大院電子物理工&21COE
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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山部 紀久夫
筑波大学電子・物理工学専攻
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上殿 明良
筑波大物理工
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村松 誠
筑波大物理工
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生形 友宏
筑波大物理工
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渡辺 匡人
NEC
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市橋 鋭也
NEC
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鈴木 良一
電総研
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大平 俊行
電総研
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三角 智久
電総研
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高須 誠一
NEC機械
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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柳下 明
高エ研
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柳下 明
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所放射光科学研究施設
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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池田 光男
高エネルギー加速器研究機構
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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栗原 俊一
高エ研
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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野村 昌治
高エネルギー物理学研究所
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設楽 哲夫
高エネルギー加速器研究機構
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設楽 哲夫
高エ研
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渡辺 匡人
学習院大学理学部
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杉山 睦
筑波大院電子物理工&21coe:(現)東京理科大学理工学部電気電子情報工学科
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野坂 大樹
筑波大院電子物理工&21coe
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鈴木 智士
筑波大院電子物理工&21coe
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廣瀬 幸範
(株)ルネサステクノロジ
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栗原 俊一
高エネルギー加速器研究機構
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榎本 収志
高エネルギー加速器研究機構
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大越 隆夫
高エネルギー加速器研究機構
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大澤 哲
高エネルギー加速器研究機構
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小川 雄二郎
高エネルギー加速器研究機構
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柿原 和久
高エネルギー加速器研究機構
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白川 明広
高エネルギー加速器研究機構
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中島 啓光
高エネルギー加速器研究機構
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古川 和郎
高エネルギー加速器研究機構
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本間 博幸
高エネルギー加速器研究機構
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佐波 俊哉
高エネルギー加速器研究機構
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塩谷 亘弘
高エネルギー加速器研究機構
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柳下 明
高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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前川 和義
(株)ルネサステクノロジ
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本田 和仁
(株)ルネサステクノロジ
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廣瀬 幸範
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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本田 和仁
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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前川 和義
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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宮崎 博史
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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辻 幸一
大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻
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大島 永康
産業技術総合研 計測フロンティア研究部門
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三角 智久
産総研
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辻 幸一
アントワープ大学
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伊藤 賢志
産総研企画本部
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柳下 宏
産総研
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前川 和義
ルネサス テクノロジ
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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柿原 和久
高エネルギー物理学研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大澤 哲
高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設
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設楽 哲夫
物質構造科学研究所
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榎本 収志
KEK加速器
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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佐波 俊哉
高エネルギー加速器研究機構放射線科学センター
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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野村 昌治
高エネルギー加速器研究機構 放射光科学研究施設
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
大沢 哲
高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
-
佐波 俊哉
高エネルギー加速器研究開発機構
-
辻 幸一
大阪市立大学大学院工学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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古川 和朗
高エネルギー研 加速器研究施設
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渡邉 匡人
学習院大 理
-
廣瀬 幸範
半導体理工学センター (starc)
-
江口 和弘
半導体理工学センター (starc)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター
-
箇井 拓朗
筑波大数理
-
柳下 宏
産業技術総合研究所
-
伊藤 賢志
産総研
-
秩父 重英
東北大学多元物質科学研究所附属窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター
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古川 和朗
高エネルギー加速器研究機構
-
野村 昌治
高エネルギー加速器研究機構
-
柳下 明
高エネルギー加速器研究機構
-
榎本 收志
高工研
-
筒井 拓朗
筑波大学
-
石橋 章司
CREST:産総研
-
谷川 庄一郎
筑波大学物質工
-
石橋 章司
産業技術総合研究所
著作論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))