低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する際に放出されるγ線のエネルギー分布や対消滅までの時間を測定することにより,空孔型欠陥の種類や濃度が評価できる.ここでは,Cu/low-k配線構造中のSiOCHのポアを評価した結果を述べる.エネルギー可変の陽電子ビーム(低速陽電子ビーム)を用いて,陽電子と電子の水素様束縛状態であるポジトロニウム(Ps)の生成率や寿命を測定することにより,配線に埋め込まれたSiOCHのポアサイズやその密度の変化を議論できることがわかった.配線ピッチサイズが縮小するとPs寿命が短くなり,かつその形成率が減少した.前者はスケーリングによりSiOCH中のポアサイズが減少したことに対応する.Ps形成率はポア中の電子・正孔捕獲中心の存在により減少する.したがって,配線構造形成によりSiOCH中に捕獲中心を含む損傷領域が導入され,かつピッチサイズ減少により損傷領域の比率が上昇したためPs形成率が減少したと考えられる.
- 2010-01-29
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
大島 永康
産総研
-
鈴木 良一
産総研
-
大平 俊行
産総研
-
上殿 明良
筑波大学物理工学科
-
井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
-
大島 永康
産業技術総合研究所
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
中村 友二
半導体理工学センター(starc)
-
井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
-
林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
-
大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
大島 永康
理化学研究所
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
-
廣瀬 幸範
半導体理工学センター (starc)
-
江口 和弘
半導体理工学センター (starc)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター
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