吉丸 正樹 | 半導体理工学センター

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概要

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• 半導体理工学センターの論文著者

関連著者

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 大門 寛

  奈良先端大

• 森田 誠

  奈良先端大物質創成

• 森田 誠

  奈良先端大・物質創成

• 武田 さくら

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 武田 さくら

  奈良先端大

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 山中 佑一郎

  奈良先端大物質創成

• 小池 潤一郎

  奈良先端大物質創成

• 今村 健

  半導体理工学研究センター

• 松岡 弘憲

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 田畑 裕貴

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 今村 健

  (株)半導体理工学研究センター

• 田畑 裕貴

  奈良先端大物質創成

• 松岡 弘憲

  奈良先端大物質創成

• 小原 孝介

  奈良先端科学技術大学院大学

• 八重樫 利武

  半導体理工学研究センター

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学

• 谷川 洋平

  奈良先端大物質創成

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 坂田 智裕

  奈良先端大物質創成

• Idayu Nur

  奈良先端大物質創成

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 大島 永康

  産総研

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学科

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 大島 永康

  産業技術総合研究所

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 山中 祐一郎

  奈良先端大物質創成

• 中野 晃太郎

  奈良先端大物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 大井 秀夫

  奈良先端大物質

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 服部 賢

  奈良先端大

• 中村 友二

  半導体理工学センター(starc)

• 井上 尚也

  半導体理工学センター(STARC)

• 林 喜宏

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 廣瀬 幸範

  半導体理工学センター(STARC)

• 大島 永康

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 大島 永康

  理化学研究所

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター(starc)

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 廣瀬 幸範

  半導体理工学センター (starc)

• 江口 和弘

  半導体理工学センター (starc)

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 井上 尚也

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 橋本 美絵

  奈良先端大

• イダユ ヌル

  奈良先端大物質創成

• 手塚 勉

  半導体理工学研究センター

• 片山 俊治

  半導体理工学研究センター

• 手塚 勉

  STARC

• 片山 俊治

  STARC

• 大井 秀夫

  奈良先端大・物質創成

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著作論文

• 20aGQ-4 Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 26pPSB-4 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
• 23aWX-4 Si(110)p型反転層中のサブバンドの分散構造(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-7 高分解能角度分解光電子分光による高不純物濃度Pb/Si(001)のホールサブバンド測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-1 角度分解光電子分光を用いた高濃度不純物ドープSi(111)上における空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-10 高温熱処理が空間電荷層中の電子状態に及ぼす影響(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ

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