橋本 美絵 | 奈良先端大物質
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概要
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奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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田畑 裕貴
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松岡 弘憲
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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田中 攻
奈良先端大物質創成
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岡本 武志
阪大院工
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服部 梓
阪大院工
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佐野 泰久
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山内 和人
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酒井 智香子
物材機構
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松田 博之
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大阪大学大学院工学研究科
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Toth Laszlo
Universite De Metz
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佐野 泰久
大阪大 大学院工学研究科
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Yamamura K
Kyoto Univ. Kyoto
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奈良先端大
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服部 賢
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Yamauchi Kazuto
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奥田 太一
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服部 賢
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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高橋 伸明
奈良先端大物質創成
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松井 文彦
JST-CREST
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出野 卓
奈良先端大・物質創成
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茂内 晋
奈良先端大・物質創成
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大門 寛
JST-CREST
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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奈良先端大・物質
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出野 卓
奈良先端大
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松下 智裕
CREST-JST
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郭 方准
CREST-JST
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郭 方准
SPring-8
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松下 智裕
奈良先端大院物質創成
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宮原 寛和
広大院理
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今村 健
(株)半導体理工学研究センター
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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Nakatake M.
Hsrc Hiroshima Univ.
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谷口 雅樹
広大放射光:広大院理
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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谷口 雅樹
広大院理:hisor
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吉丸 正樹
半導体理工学センター
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松下 智裕
公益財団法人高輝度光科学研究センター(jasri)
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宮本 幸治
HSRC, Hiroshima Univ.
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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奥田 太一
広大放射光
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谷口 雅樹
広大放射光
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宮本 幸治
広大放射光
著作論文
- 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-4 光電子回折リングにおける円二色性の解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-4 Si(111)-√×√-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-23 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-13 二次元光電子分光によるSi(111)√×√-Ag表面の表面準位の光電子放出角度分布とバンド構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-3 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-33 光電子回折リングにおける円二色性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-36 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRE-11 円偏光二次元光電子回折による1T-TaS_2の価電子帯の軌道角運動量解析(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 23aWS-4 Si(111)-√×√-Sn,-Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-45 高分解能角度分解光鷺子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-69 Ols光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによるSiON/SiC(0001)原子構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-3 二次電子角度分布に現れる内殻光電子回折のネガパターン(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-102 Display-type Ellipsoidal Mesh Analyzerの開発I(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 20pXA-7 Si(111)√×√-Ag表面のHCT-IET相転移(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aWP-5 RHEEDによるSi(111)√×√-Ag,-Ga表面の原子振動解析(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 25aTH-2 高分解能角度分解光電子分光によるPb/Ge(110)表面における電子状態の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHB-2 Fe L_3吸収端での円偏光二次元光電子・Auger電子回折(28aHB 放射光真空紫外分光・MCD・光電子分光(強相関係・スピン分解・理論等),領域5(光物性))
- 25aTH-7 楕円メッシュ顕微高エネルギー二次元光電子分光器の開発(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTH-3 SiC上酸窒化膜のO-K edgeサイト別XANESによる電子状態の研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))