谷口 雅樹 | 広大理
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概要
関連著者
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谷口 雅樹
広大理
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生天目 博文
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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広大放射光
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広大放射光セ
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木村 昭夫
広大理
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生天目 博文
広大理
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東大理
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谷口 雅樹
広大院理
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菅 滋正
阪大基礎工
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島田 賢也
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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木村 雅仁
阪大基礎工
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木村 昭夫
広大院理
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広大放セ
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広大放射光
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恒川 雅典
阪大基礎工
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大門 寛
奈良先端大物質創成:crest-jst
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広大放射光
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東口 光晴
広大院理
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広大院理
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奥田 太一
広大放射光セ
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宮本 幸治
広大放射光セ
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木村 昭夫
東大物性研
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林 博和
広大院理
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広大理
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沢田 正博
広大放射光セ
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黒田 健太
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鈴木 孝
東北大理
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Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University:institute For Advanced Materials Research Hir
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首都大理工
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溝川 貴司
東大理
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広大理
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広大理
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三浦 雄一
広大理
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片浦 弘道
産総研
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宮原 恒〓
首都大院理工
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石井 広義
首都大院理工
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高山 泰弘
首都大院理工
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西村 良祐
広大院理
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飛松 浩明
広大院理
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三村 功次郎
阪府大院工
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生天目 博文
東大理
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東北大科研
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東北大科研
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広大理
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Engineering Research Institute University Of Tokyo
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都立大理
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阿知波 洋次
首都大理工
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首都大理工
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首都大理工
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中島 陽祐
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山下 良之
物材機構
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吉川 英樹
物材機構
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物材機構
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東大物性研
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京大低温セ
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菅 滋正
東大物性研
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東大理
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藤木 伸ー郎
首都大院理工
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広大院理
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生天目 博文
広大放セ
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谷口 雅樹
広大放セ
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高田 恭孝
分子研
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広大院理
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三好 清貴
島根大総合理工
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竹内 潤
島根大総合理工
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広大放セ
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門野 利治
広大院理
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魚住 孝幸
阪府大院工
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阪府大院工
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本並 哲
阪府大院工
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九大院理
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田中 克昇
広島大放射光セ
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笠谷 光男
東北大理
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石井 武比古
東大物性研
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播磨 尚朝
阪大産研
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播磨 尚朝
阪府大総合科
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渡邊 正満
理研
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吉岡 英生
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伊豫 彰
JST-TRIP
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永崎 洋
JST-TRIP
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藤森 淳
東大新領域
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藤森 淳
東京大学大学院理学系研究科
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都立大理
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阿知波 洋次
都立大理
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谷口 雅樹
東大物性研
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遠藤 一太
広大理
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大門 寛
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梅山 規男
産総研
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池田 伸一
産総研
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森永 礼
東大物性研
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満身 稔
兵庫県立大院物質
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和田 裕文
九大院理
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森田 誠
奈良先端大物質創成
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鬼澤 愛美
日大理工
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組頭 広志
Jst-crest:東大院工
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落合 明
東北大理
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芝内 孝禎
京都大学大学院理学研究科物理学・宇宙物理学専攻
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田中 健一郎
広島大学大学院理学研究科
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奥田 喜一
阪府大工
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渡邊 誠
東北大多元研
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村田 好正
物性研
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前野 悦輝
京大国際融合創造センター・理
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坂木 麻里子
広島大院先端物質
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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脇田 和樹
千葉工大工
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和田 裕文
九大理
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魚住 孝幸
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伊藤 利充
電総研
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兒玉 健
首都大理工
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中山 裕二
首都大理工
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藤木 伸一郎
首都大理工
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宮原 恒〓
首都大理工
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中山 祐二
首都大理工
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高山 泰弘
首都大理工
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平井 千之
広大院理
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長崎 太
広大院理
著作論文
- 24aXB-2 低温走査トンネル顕微鏡を用いたNi(111)の表面電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-6 低温STMを用いたNi(111)表面電子状態の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSA-13 Rh(110)の高分解能角度分解光電子分光(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22pGL-9 Co/Pd(001)超薄膜の磁気異方性と軟X線吸収磁気円二色性分光(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-11 Pd(001)上のFe及びPd/Fe超薄膜の磁気異方性(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28aPS-8 フラーレンピーポッドの光電子分光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- CePdAsの高分解能共鳴光電子分光
- 29p-H-10 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光 II
- 28p-W-7 黒リンの軟X線発光と内殻励起子
- 29a-B-13 Cd_Mn_xY(Y=S, Se, Te)中のMn 3d 電子状態
- 22pTK-2 Extremely low energy photoemission by synchrotron radiation
- 30p-YM-4 カルコゲナイドガラスAs_xSe_の光電子・逆高分子分光
- 30a-YM-4 カルコゲナイドガラスAs_xSe_の光電子・逆光電子分光
- 28p-YC-7 NiAs型MnTeのMn2p軟X線発光
- 28a-YC-10 As_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28a-YC-8 正・逆光電子分光によるIII-V化合物半導体GaSbの電子状態
- 結晶およびアモルファスSeの3d領域における共鳴光電子分光、内殻吸収測定
- 1a-Z-4 NiAs 型 MnTe の Mn 2p-3d 共鳴光電子分光
- 28p-W-13 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜単結晶の正・逆光電子分光
- 24pH-3 近藤絶縁体YbB_の光電子スペクトルのLu置換依存性
- 25aYC-16 CeSiの高分解能光電子分光
- 24aPS-30 単層カーボンナノチューブとフラーレンピーポッドの高分解能光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 29a-YL-3 Ag, Cuを光ドープしたa-GeSe_2の電子状態 : 軟X線内殻吸収
- 23aPS-120 光電子分光および軟X線吸収分光によるBaVS_3の電子状態の研究(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRE-6 一次元Pt錯体の高分解能光電子分光(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 23aWH-6 角度分解光電子分光による電子ドープ系BaFe_Co_xAs_2のドーピング依存性の研究(23aWH 鉄砒素系超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWX-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3における表面・バルク電子散乱(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-6 三次元トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の異方的なフェルミ面(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のフェルミ面と表面電子散乱(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRE-8 Bi(111)のバルク状態におけるラシュバ型スピン偏極の観測(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 23pPSA-59 硬X線光電子分光によるEuPtPの温度誘起価数転移の研究(23pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
- 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
- 28p-YQ-11 結晶およびアモルファスSeの正・逆光電子分光
- 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
- 29p-H-12 Ag、Cuを光ドープしたアモルファスGeSe_2の物性
- 12a-DC-5 Zn_Mn_xTeの局所構造 : Te-Te間距離:Te K-edge EXAFS
- 12a-DC-4 Cd_Mn_xTe 中の Mn 3d 部分状態密度の x 依存性
- 12a-DF-19 軟X線内殻吸収測定によるアモルファスGeSe、GeTeの電子状態の研究
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 31p-M-8 a-Seの逆光電子分光
- 25p-ZD-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- 25aPS-51 Co/Pd(001)超薄膜の磁気異方性と価電子帯構造(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29a-PS-27 C_5H_5N/Si(111)7×7における吸着構造のSTMを用いた研究
- 27a-PS-42 CH_3CN/Si(111)7×7における吸着分子のふるまいに関する研究
- 28p-YQ-9 CrSeの共鳴光電子分光
- 25aPS-99 角度分解光電子分光によるTlSeの特異な分散構造の研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 25pWB-3 光電子分光によるCa_2RuO_4の金属絶縁体転移の研究(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28p-W-16 Bi_2Y_3(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 28p-W-11 CoSeの正・逆光電子分光
- 28p-YQ-8 MnY(Y=S, Se, Te)の正・逆光電子分光
- 3p-F-5 Mn/ZnTe(110)のMn3p-3d共鳴光電子分子
- 25pWB-4 Sr_2RuO_4の電子状態における偏光・励起光依存性(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pRE-10 偏光依存高分解能角度分解光電子分光によるPd(100)単結晶の電子状態の研究(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 25pWB-10 Sr_La_Ti_V_xO_3の電子構造(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aWB-7 Li_xCoO_2単結晶の電子状態2(26aWB Co酸化物・熱電材料,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aWX-2 W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-39 Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-66 Mn層状オキシプニクタイド(LaO)MnPn(Pn=P,As,Sb)の磁性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 17pRG-5 CoSb_3の正・逆光電子分光による電子状態
- 26p-M-16 SnSe, SnTeの光電子および逆光電子分光
- 5a-D-7 Teの正逆行電子分光
- 29a-P-7 帯域フィルター型逆光電子分光装置の性能評価
- 31p-Z-10 Eu_3Ir_4Sn_の共鳴光電子分光
- 22pT-2 アニリンの吸着したSi(111)7×7表面のSTM観察
- 23pSE-6 UNiSnの高分解能光電子分光
- 24aZH-4 CeNiSnの高分解能光電子分光による4f電子状態の観察
- 24pH-4 近藤半金属CeNiSn, LaNiSnの高分解能温度可変光電子分光
- 31p-D-8 Ce化合物近藤半導体の高分解能光電子分光
- 26a-M-13 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS III
- 5p-D-1 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS II
- 31p-TB-8 層間化合物M_xTiS_2の局所構造 : EXAFS
- 29p-H-4 Mo_4O_の電子状態
- 25p-ZD-4 Mn/CdTe(110)界面の光電子分光
- 30p-E-3 Zn_Mn_xTeの局所構造とMn3d電子状態
- Yb_4(As_Sb_x)_3の高分解光電子スペクトルの温度変化 : 電荷秩序効果
- CeRu_2Ge_2の高分解能共鳴光電子分光
- 31p-Z-13 CeRu_2Si_2の高分解能・共鳴光電子分光測定
- 31p-Z-9 Yb_4As_3の相転移と高分解光電子分光
- 12a-DC-3 NiAs型MnTeの正・逆光電子分光
- 4a-F-8 γ-Mo_4O_の正・逆光電子分光
- 29p-H-14 逆光電子分光用高分解能光検出器の試作
- 5a-C-16 Cd_Fe_XSe(0≦x≦0.4)中のFe 3d状態
- 23pTR-1 鉛系トポロジカル絶縁体PbBi_2Te_4におけるディラック表面状態の観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXG-9 BaFe_2(As,P)_2における擬ギャップ2(26aXG 鉄砒素系1(輸送特性・光電子分光・理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 7pPSA-13 CoSb3のCo 2p-3d内殻吸収領域での光電子分光(領域5)
- 31a-M2-8 シンクロトロン放射VUV,軟X線固体表面分光解析設備(表面・界面)
- 31a-B2-10 ウィグラー放射光の角度分布計算(イオン結晶・光物性)
- 1a-pS-9 近藤絶縁体YbB_の高分解能光電子分光II(1aPS 磁性(f電子系),磁性)
- 31p-J-1 XPSとUPSによる価数揺動物質Yb_4X_3(X:As,Sb,Bi)系の研究(31pJ イオン結晶・光物性(SOR,VUV))